AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6403是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与高电流能力，在10V Vgs下Rds(On)低至3.1毫欧@20A，连续漏极电流在Tc条件下高达85A，漏源电压为30V，能显著降低功率损耗并提升系统效率。
器件具备优异的开关特性，栅极电荷（Qg）最大值为196nC @ 10V，阈值电压低至2.2V，易于被标准逻辑电平驱动。其热性能稳健，最大结温达150°C，Tc下功耗可达83W，确保了高可靠性。这些特性使其成为高密度电源管理、负载开关和电机驱动等应用的理想选择。
基本参数：
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