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AON6403是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与高电流能力，在10V Vgs下Rds(On)低至3.1毫欧@20A，连续漏极电流在Tc条件下高达85A，漏源电压为30V，能显著降低功率损耗并提升系统效率。

器件具备优异的开关特性，栅极电荷（Qg）最大值为196nC @ 10V，阈值电压低至2.2V，易于被标准逻辑电平驱动。其热性能稳健，最大结温达150°C，Tc下功耗可达83W，确保了高可靠性。这些特性使其成为高密度电源管理、负载开关和电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:AON6403
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:196 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9120 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6403，AOS产品一站式供应商。