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AOI7N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装，专为要求高耐压和高效能的开关应用而设计。其核心电气参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和7A的连续漏极电流（I_D），确保了在高压环境下的稳定运行能力。

该器件的关键优势在于其低导通电阻（R_DS(on)典型值1.3Ω）与低栅极电荷（Q_g典型值24nC）的结合，这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升整体系统的能源效率。其宽工作结温范围（-50°C至150°C）和178W的功率耗散能力，进一步保障了其在各种工业环境中的长期可靠性。

• 型号:AOI7N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:178W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI7N60，AOS产品一站式供应商。