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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI7N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装，专为要求高耐压和高效能的开关应用而设计。其核心电气参数包括600V的漏源电压（VDSS）和7A的连续漏极电流（ID），确保了在高压环境下的稳定运行能力。
该器件的关键优势在于其低导通电阻（RDS(on)典型值1.3Ω）与低栅极电荷（Qg典型值24nC）的结合，这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升整体系统的能源效率。其宽工作结温范围（-50°C至150°C）和178W的功率耗散能力，进一步保障了其在各种工业环境中的长期可靠性。
基本参数：
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