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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON2401是一款采用6-DFN-EP封装的P沟道功率MOSFET，其核心优势在于极低的导通电阻与优化的开关特性。在2.5V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为22毫欧（@8A），同时栅极电荷最大值低至18nC（@4.5V），这共同实现了高效率与低开关损耗的平衡。
该器件设计用于8V漏源电压和8A连续漏极电流的应用环境，栅源阈值电压低至650mV，易于由低压逻辑电路直接驱动。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在各类环境下的可靠性，适用于空间受限、对热性能和效率有严苛要求的场景。
基本参数：
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