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零件图片（仅供参考）
AO4447A_DELTA
规格参数

AO4447A_DELTA是一款采用8-SOIC封装的P沟道功率MOSFET，由AOS公司生产。其核心电气参数定义了其在功率开关应用中的定位：30V的漏源电压(Vdss)与18.5A的连续漏极电流(Id)提供了稳健的功率处理基础。

器件的关键优势在于其极低的导通损耗，其在10V Vgs驱动下导通电阻(RdsOn)最大值仅为5.8毫欧。同时，其栅极特性，包括2.2V的最大阈值电压和130nC的栅极电荷(Qg)，确保了其既能与标准逻辑电平兼容，又能实现高效的开关性能。这些特性使其成为空间受限的DC-DC转换、电源路径管理和负载开关等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AO4447A_DELTA
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：18.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.8 毫欧 @ 18.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：130nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5020pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4447A_DELTA
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4447A_DELTA的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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