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AOD425是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效功率开关进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）和低至17毫欧（@10V，20A）的导通电阻，有助于显著降低导通损耗，提升系统能效。

该器件栅极电荷（Qg）较低，支持快速开关，同时最大连续漏极电流在管壳温度（Tc）条件下可达50A，展现了较强的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在各类环境下的可靠性。这些特性使其非常适合用于DC-DC转换、电源路径管理及负载开关等应用。

• 型号:AOD425
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9A/50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），71W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD425，AOS产品一站式供应商。