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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD425是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效功率开关进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）和低至17毫欧（@10V，20A）的导通电阻，有助于显著降低导通损耗，提升系统能效。
该器件栅极电荷（Qg）较低，支持快速开关，同时最大连续漏极电流在管壳温度（Tc）条件下可达50A，展现了较强的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在各类环境下的可靠性。这些特性使其非常适合用于DC-DC转换、电源路径管理及负载开关等应用。
制造商产品型号：AOD425制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 9A/50A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），71W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD425，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD425
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 9A/50A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD425的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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