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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF2618L 是一款由 AOS 制造的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220-3F 通孔封装。该器件核心优势在于其优异的电气性能平衡，提供 60V 的漏源电压（Vdss）额定值，并在 10V Vgs 驱动下实现低至 19 毫欧（@20A）的导通电阻，有效降低了导通损耗。
其栅极电荷（Qg）最大值仅为 20nC，结合较低的输入电容，确保了快速的开关切换能力，有利于提升系统效率并允许更高频率的设计。器件支持高达 22A（Tc）的连续漏极电流和 23.5W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽达 -55°C 至 175°C，为高功率密度和严苛环境应用提供了可靠的解决方案。
基本参数：
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