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AOB11C60L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了可靠的功率处理能力。

该器件的优势在于其平衡的性能表现：最大400毫欧的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提升效率；而最大42nC的栅极电荷（Qg）则有利于实现快速的开关速度，从而控制开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。

• 型号:AOB11C60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB11C60L，AOS产品一站式供应商。