AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOB11C60L及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB11C60L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了可靠的功率处理能力。
该器件的优势在于其平衡的性能表现：最大400毫欧的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提升效率；而最大42nC的栅极电荷（Qg）则有利于实现快速的开关速度，从而控制开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
基本参数：
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询