AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6360是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为3毫欧（@20A），这能显著降低功率转换过程中的传导损耗。
该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，具备高电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流（Id）可达85A。同时，其较低的栅极电荷（Qg，最大值24nC @10V）有助于实现高效率的快速开关操作。这些特性使其成为中低压、高电流开关应用的理想选择，例如同步整流、电机驱动和紧凑型电源解决方案。
基本参数：
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