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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6532P是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在壳温（Tc）条件下可承受高达68A的连续漏极电流，具备强大的电流处理能力。
其核心电气特性表现为极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为4.1毫欧，能显著降低功率传导损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至17.2nC @ 10V，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高效率的开关电源应用。器件工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。
基本参数：
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