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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7702是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能SRFET产品系列。该器件采用8-DFN封装,提供30V的漏源电压(Vdss)额定值,并在10V Vgs驱动下实现低至10毫欧的导通电阻,有效降低了功率传导损耗。
其核心优势在于优异的开关特性,最大栅极电荷(Qg)仅为48nC,支持高频高效开关操作。器件具备强大的电流处理能力,壳温下连续漏极电流高达36A,并集成了体肖特基二极管,增强了开关应用的可靠性。这些特性使其非常适合用于同步整流、DC-DC转换及电机驱动等对效率和功率密度有高要求的领域。

基本参数:

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