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零件图片(仅供参考)
AON7702
规格参数

AON7702是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能SRFET产品系列。该器件采用8-DFN封装,提供30V的漏源电压(Vdss)额定值,并在10V Vgs驱动下实现低至10毫欧的导通电阻,有效降低了功率传导损耗。

其核心优势在于优异的开关特性,最大栅极电荷(Qg)仅为48nC,支持高频高效开关操作。器件具备强大的电流处理能力,壳温下连续漏极电流高达36A,并集成了体肖特基二极管,增强了开关应用的可靠性。这些特性使其非常适合用于同步整流、DC-DC转换及电机驱动等对效率和功率密度有高要求的领域。

  • 制造商产品型号:AON7702
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SRFET
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):13.5A(Ta),36A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 13.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):48nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4250pF @ 15V
  • FET功能:肖特基二极管(体)
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),23W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN(3x3)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON7702
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7702的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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