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零件图片（仅供参考）
AOB160A60L
规格参数

AOB160A60L是AOS公司推出的一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET。该器件额定漏源电压为600V，连续漏极电流达24A，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至160毫欧 @ 12A，有效降低了通态损耗。同时，最大栅极电荷仅为46nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。

器件采用TO-263 (D2Pak)表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在工业级应用环境下的高可靠性与稳定性。

  • 制造商产品型号：AOB160A60L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 24A TO263
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：aMOS5
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2340pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-263（D2Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOB160A60L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 24A TO263
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOB160A60L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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