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零件图片（仅供参考）
AO3418
规格参数

AO3418是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，在紧凑的尺寸内集成了出色的功率处理能力。其核心优势在于低至60毫欧的导通电阻（@10V, 3.8A）与仅3.2nC的低栅极电荷（@4.5V）的优异组合，这共同实现了高效率与低开关损耗，特别适合高频开关应用。

器件额定30V的漏源电压和3.8A的连续漏极电流，覆盖了常见的低压电源场景。其1.8V的最大栅极阈值电压确保了与3.3V/5V逻辑电平的良好兼容性，简化了驱动设计。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）则保证了其在各种环境条件下的可靠运行。

  • 制造商产品型号：AO3418
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.2nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：270pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3L
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3418
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3418的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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