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AO3418是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，在紧凑的尺寸内集成了出色的功率处理能力。其核心优势在于低至60毫欧的导通电阻（@10V, 3.8A）与仅3.2nC的低栅极电荷（@4.5V）的优异组合，这共同实现了高效率与低开关损耗，特别适合高频开关应用。

器件额定30V的漏源电压和3.8A的连续漏极电流，覆盖了常见的低压电源场景。其1.8V的最大栅极阈值电压确保了与3.3V/5V逻辑电平的良好兼容性，简化了驱动设计。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）则保证了其在各种环境条件下的可靠运行。

• 型号:AO3418
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3418，AOS产品一站式供应商。