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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT280A60L 是 AOS 基于 aMOS5 技术制造的高压 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220 封装。其核心优势在于 600V 的漏源电压（Vdss）与低至 280 毫欧（@7A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这有效降低了高压开关应用中的导通损耗，提升了系统效率。
器件在 25°C（Tc）下的连续漏极电流（Id）为 14A，最大功率耗散达 156W，并支持 -55°C 至 150°C 的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。较低的栅极电荷（Qg，最大值 23.5nC @10V）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中追求高可靠性与高能效设计的优选功率开关解决方案。
基本参数：
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