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零件图片(仅供参考)
AON6756
规格参数

AON6756是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN(5x6)表面贴装封装。其核心电气参数定义了高性能应用:30V的漏源电压(Vdss)和高达47A(Ta)的连续漏极电流处理能力,配合低至2.4毫欧(@10V,20A)的导通电阻,确保了在电源转换路径中的高效能表现。

此外,器件具备64nC(@10V)的最大栅极电荷和宽泛的±20V栅源电压耐受范围,这优化了开关速度并增强了驱动电路的鲁棒性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C,集成的体二极管进一步扩展了其在同步整流等电路中的应用灵活性。

  • 制造商产品型号:AON6756
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 47A/36A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:AlphaMOS
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):47A(Ta),36A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.4 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):64nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2796pF @ 15V
  • FET功能:肖特基二极管(体)
  • 功率耗散(最大值):7.3W(Ta),83W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN(5x6)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON6756
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 47A/36A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6756的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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