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AOWF190A60C是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于aMOS5产品系列。该器件采用TO-262F封装，核心参数包括600V的漏源电压和20A的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态和静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻低至190毫欧，有效降低了导通损耗。同时，34nC的低栅极电荷有助于实现高速开关，减少开关损耗，从而提升整体电源系统的效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的可靠运行。

• 型号:AOWF190A60C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 7.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1935 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF190A60C，AOS产品一站式供应商。