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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF190A60C是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于aMOS5产品系列。该器件采用TO-262F封装，核心参数包括600V的漏源电压和20A的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术优势主要体现在优异的动态和静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻低至190毫欧，有效降低了导通损耗。同时，34nC的低栅极电荷有助于实现高速开关，减少开关损耗，从而提升整体电源系统的效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的可靠运行。
基本参数：
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