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零件图片（仅供参考）
AOB282L
规格参数

AOB282L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气参数包括80V的漏源电压（Vdss），以及在10V Vgs、20A Id条件下仅3.2毫欧的低导通电阻（Rds(On)），这显著降低了导通状态下的功率损耗。

该器件具备强大的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达105A，最大功率耗散为272.5W。结合178nC的栅极电荷（Qg）和-55°C至175°C的宽工作结温范围，使其能够在高效率、高可靠性的要求下，稳定应用于各类中压功率开关场景。

  • 制造商产品型号：AOB282L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：18.5A（Ta），105A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：178nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7765pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），272.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-263（DPak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOB282L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOB282L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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