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AOB282L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气参数包括80V的漏源电压（Vdss），以及在10V Vgs、20A Id条件下仅3.2毫欧的低导通电阻（Rds(On)），这显著降低了导通状态下的功率损耗。

该器件具备强大的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达105A，最大功率耗散为272.5W。结合178nC的栅极电荷（Qg）和-55°C至175°C的宽工作结温范围，使其能够在高效率、高可靠性的要求下，稳定应用于各类中压功率开关场景。

• 型号:AOB282L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:178 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7765 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），272.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB282L，AOS产品一站式供应商。