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AOWF8N50 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-262F 封装。其核心优势在于 500V 的高漏源电压（Vdss）与 8A 的连续漏极电流（Id）能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件在 10V 栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有效减少了导通状态下的功率损耗。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数有助于实现快速的开关切换，从而降低开关损耗，提升系统整体效率。其宽工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。

• 制造商产品型号：AOWF8N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：850 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1042pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：27.8W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262F
• AOWF8N50，AOS产品一站式供应商。