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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF8N50 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-262F 封装。其核心优势在于 500V 的高漏源电压（Vdss）与 8A 的连续漏极电流（Id）能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件在 10V 栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有效减少了导通状态下的功率损耗。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数有助于实现快速的开关切换，从而降低开关损耗，提升系统整体效率。其宽工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。
基本参数：
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