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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOSD26313C 是AOS公司推出的一款N沟道与P沟道互补型MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于30V电压环境，其核心卖点在于极低的导通电阻（N沟道典型值20mΩ @ 10V， P沟道32mΩ @ 10V）和优化的开关特性（低栅极电荷），能显著降低功率损耗并提升开关频率。
该芯片在环境温度下可支持高达7A（N沟道）和5.7A（P沟道）的连续电流，功耗最大1.7W。其适中的栅极阈值电压确保了与常见逻辑电平的兼容性，宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）则提供了出色的环境适应性。这些特性使其成为空间受限、要求高效率的同步整流、电机驱动和DC-DC转换等应用的理想选择。
基本参数：
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