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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOT3N50是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220通孔封装。其核心规格包括500V的漏源电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id),为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻,有助于提升能效。其优化的栅极电荷与输入电容参数支持快速开关操作,适用于高频开关电源设计。最大结温150°C和74W的功率耗散能力确保了其在宽温范围内的可靠工作与散热性能。

基本参数:

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