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零件图片（仅供参考）
AON7506
规格参数

AON7506 是 AOS 公司生产的一款 N 沟道 MOSFET，采用 8-DFN（3x3）表面贴装封装。该器件额定漏源电压为 30V，在壳温条件下可连续通过 12A 电流，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。

在 Vgs=10V、Id=12A 的条件下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为 9.8 毫欧，有效降低了功率传导损耗。同时，最大 12.2nC 的栅极总电荷（Qg @10V）确保了快速的开关切换能力，有利于提升高频开关电源的效率。这些参数使其成为空间受限且要求高效率的功率转换应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AON7506
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），12A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.8 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.2nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：542pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（3x3）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON7506
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7506的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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