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AOT470是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于75V的漏源电压和极低的导通电阻（典型值10.5mΩ @ 10V, 30A），这能有效降低导通损耗，提升系统效率。

该器件具备出色的电流处理能力，连续漏极电流在壳温条件下可达100A，并支持高达268W的功率耗散。其栅极电荷（Qg）仅为136nC，有助于实现快速开关，减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:AOT470
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5640 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），268W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT470，AOS产品一站式供应商。