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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT470是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于75V的漏源电压和极低的导通电阻（典型值10.5mΩ @ 10V, 30A），这能有效降低导通损耗，提升系统效率。
该器件具备出色的电流处理能力，连续漏极电流在壳温条件下可达100A，并支持高达268W的功率耗散。其栅极电荷（Qg）仅为136nC，有助于实现快速开关，减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。
制造商产品型号：AOT470制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：75V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.5 毫欧 @ 30A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：136nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5640pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），268W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220AOT470，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOT470
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO220
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOT470的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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