AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO8818是AOS公司生产的一款双N沟道共漏极逻辑电平MOSFET阵列。该器件采用8-TSSOP表面贴装封装，集成了两个性能一致的N沟道MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，适用于主流低压电源系统。
其核心优势在于优异的开关性能与驱动便利性。器件具备极低的栅极阈值电压（最大1.5V），可直接由微控制器GPIO口驱动，简化了电路设计。同时，在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至18毫欧（@7A），结合仅14nC的低栅极电荷，共同实现了高效率的功率切换与低导通损耗，有助于提升整体系统的能效和功率密度。
基本参数：
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