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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO8814#A是AOS公司生产的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-TSSOP表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极配置的逻辑电平MOSFET，其漏源电压（Vdss）为20V，适用于低压功率开关应用。
其核心优势在于优异的开关性能。在10V栅源电压下，导通电阻（Rds(on)）低至16毫欧（@7.5A），能显著降低功率损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为15.4nC（@4.5V），配合1V（@250A）的低阈值电压，使其易于被微控制器等低电压逻辑电路直接、高效地驱动，实现快速开关并减少驱动电路复杂度。
基本参数：
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