AON7460是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心电气特性包括300V的漏源电压（Vdss）和低至830毫欧（@10V，1.2A）的导通电阻，为高压开关应用提供了高效的功率处理能力。

该器件设计注重开关性能优化，其最大栅极电荷（Qg）仅为8.2nC（@10V），有助于降低开关损耗，提升系统效率。同时，它支持高达4A（Tc）的连续漏极电流和33W（Tc）的功率耗散，结合DFN封装的良好散热特性，确保了在高功率密度设计中的可靠运行。其工作结温范围覆盖-50°C至150°C，适用于广泛的工业与消费电子环境。