AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AONR32320C及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AONR32320C是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，专为高效功率切换应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss），在管壳温度下支持高达12A的连续漏极电流，并实现了低至21毫欧（@10V Vgs, 9.5A）的导通电阻，有效降低了传导损耗。
该器件具备优异的开关特性，其栅极阈值电压最大值为2.3V，栅极电荷（Qg）最大值为20nC，使其能够兼容低电压逻辑驱动并实现快速开关，从而优化整体转换效率。结合其-55°C至150°C的宽工作结温范围和紧凑的封装尺寸，AONR32320C为空间受限且要求高可靠性的电源管理解决方案提供了理想选择。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询