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AOI510是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装，专为高效率、高电流的开关应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为2.6毫欧，能显著降低传导损耗；同时，其最大栅极电荷低至60nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。

该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下的连续漏极电流高达70A，最大功耗为60W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为低压大电流电源转换和电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:AOI510
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 45A/70A TO251A
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2719 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.5W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI510，AOS产品一站式供应商。