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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI510是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装，专为高效率、高电流的开关应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为2.6毫欧，能显著降低传导损耗；同时，其最大栅极电荷低至60nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。
该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下的连续漏极电流高达70A，最大功耗为60W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为低压大电流电源转换和电机驱动等应用的理想选择。
制造商产品型号：AOI510制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 45A/70A TO251A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2719pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：7.5W（Ta），60W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251AAOI510，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI510
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 45A/70A TO251A
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI510的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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