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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6266是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关特性组合，在10V驱动电压下，导通电阻低至15毫欧（@20A），同时栅极电荷仅为30nC，这共同保障了在高频开关应用中实现低传导损耗与低开关损耗。
该器件额定漏源电压为60V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达30A的连续漏极电流，并具备38W的功率耗散能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与±20V的栅源电压耐受能力，进一步增强了其在各种工业与消费电子电源设计中的适用性与可靠性。
基本参数：
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