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AON6912ALS_102是AOS公司生产的一款采用PowerVDFN封装的表面贴装型双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个非对称的N沟道MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，适用于中压功率转换场景。

其核心电气参数表现出色，导通电阻（Rds(on)）最低可达7.3毫欧（@20A，10V），配合优化的栅极电荷（Qg最大值20nC @10V），有效降低了传导与开关损耗，提升了系统效率。器件在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流处理能力高达34A/52A，最大功率耗散可达30W，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠运行。

• 型号:AON6912ALS_102
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8DFN
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），34A（Tc），13.8A（Ta），52A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.7 毫欧 @ 10A，10V，7.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V，20nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910pF @ 15V，1300pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.9W（Ta），22W（Tc），2.1W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• AON6912ALS_102，AOS产品一站式供应商。