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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6912ALS_102是AOS公司生产的一款采用PowerVDFN封装的表面贴装型双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个非对称的N沟道MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，适用于中压功率转换场景。
其核心电气参数表现出色，导通电阻（Rds(on)）最低可达7.3毫欧（@20A，10V），配合优化的栅极电荷（Qg最大值20nC @10V），有效降低了传导与开关损耗，提升了系统效率。器件在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流处理能力高达34A/52A，最大功率耗散可达30W，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠运行。
基本参数：
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