

AO4486是一款N沟道MOSFET,采用8-SOIC表面贴装封装,专为要求高可靠性和高效率的中等功率开关应用而设计。
该器件具备100V的漏源电压(Vdss)和4.2A的连续漏极电流(Id)能力。其关键优势在于优异的导通特性,在10V Vgs驱动下,导通电阻(Rds(on))最大值低至79毫欧,有助于显著降低导通损耗。同时,其最大栅极电荷(Qg)仅为20nC,有利于实现快速的开关切换并简化驱动电路设计。
此外,AO4486支持宽泛的-55°C至150°C工作结温范围,并兼容4.5V至10V的栅极驱动电压,确保了其在多种工业和消费电子应用环境中的稳定性和易用性。



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