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AO4202_120是一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为5.3毫欧，结合19A的连续电流能力，能显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件具备30V的漏源电压额定值和低至35nC的栅极电荷，使其易于被标准逻辑电平驱动并实现快速开关，适用于高频DC-DC转换。其集成的体二极管和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）进一步增强了其在电机驱动、电源管理和负载开关等应用中的可靠性与适应性。

• 制造商产品型号：AO4202_120
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 19A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4202_120，AOS产品一站式供应商。