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零件图片（仅供参考）
AO4202_120
规格参数

AO4202_120是一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为5.3毫欧，结合19A的连续电流能力，能显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件具备30V的漏源电压额定值和低至35nC的栅极电荷，使其易于被标准逻辑电平驱动并实现快速开关，适用于高频DC-DC转换。其集成的体二极管和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）进一步增强了其在电机驱动、电源管理和负载开关等应用中的可靠性与适应性。

  • 制造商产品型号：AO4202_120
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 19A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15V
  • FET功能：肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4202_120
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4202_120的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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