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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI208是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，专为要求高效率的30V以下低压开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（5.1毫欧 @ 10V, 20A）与优化的栅极电荷（33nC @ 10V）相结合，能显著降低导通与开关损耗，提升系统整体能效。
器件具备强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下标称连续电流可达54A，并支持高达175°C的结温工作。其4.5V至10V的典型驱动电压范围使其易于被标准逻辑电路驱动，适用于同步整流、DC-DC转换及电机控制等场景。
制造商产品型号：AOI208制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 18A/54A TO251A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），54A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.1 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），62W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251AAOI208，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI208
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 18A/54A TO251A
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI208的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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