
我们为全球各个行业提供AOS AO8803及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AO8803是AOS公司推出的一款双P沟道功率MOSFET阵列,采用8-TSSOP表面贴装封装。该器件集成了两个独立的逻辑电平P沟道MOSFET,漏源电压(Vdss)为12V,专为低压、高效率的功率开关应用而设计。
其关键电气特性包括在4.5V Vgs和7A Id条件下仅18mΩ的低导通电阻,以及最大1V的低栅极阈值电压,确保了与3.3V/5V逻辑电路的直接兼容性和低导通损耗。优化的栅极电荷(44nC @ 4.5V)有助于实现快速开关。这些特性使其成为空间受限设计中,实现多路负载控制、电源路径管理和电机驱动的紧凑型解决方案。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






