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AO6402A_201 是 AOS 推出的一款 N 沟道 MOSFET，采用 6-TSOP 表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的导通性能，在 10V Vgs 驱动下可实现低至 24 毫欧（最大值）的导通电阻，同时支持高达 7.5A 的连续漏极电流和 30V 的漏源电压，为功率路径设计提供了高效的开关解决方案。

其电气参数经过优化，具备较低的栅极电荷（11nC @ 10V）和输入电容，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，确保了在宽温环境下的可靠性。这些特性使其非常适合用于空间紧凑、要求高效率的 DC-DC 转换、电机控制和负载开关等应用。

• 制造商产品型号：AO6402A_201
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 7.5A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：448pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-TSOP
• AO6402A_201，AOS产品一站式供应商。