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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6402A_201 是 AOS 推出的一款 N 沟道 MOSFET，采用 6-TSOP 表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的导通性能，在 10V Vgs 驱动下可实现低至 24 毫欧（最大值）的导通电阻，同时支持高达 7.5A 的连续漏极电流和 30V 的漏源电压，为功率路径设计提供了高效的开关解决方案。
其电气参数经过优化，具备较低的栅极电荷（11nC @ 10V）和输入电容，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，确保了在宽温环境下的可靠性。这些特性使其非常适合用于空间紧凑、要求高效率的 DC-DC 转换、电机控制和负载开关等应用。
基本参数：
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