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零件图片(仅供参考)
规格参数
AOW290 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-262 通孔封装。其核心电气参数定义了强大的功率处理能力:漏源电压(Vdss)为 100V,在壳温条件下连续漏极电流(Id)高达 140A,适用于高电流应用场景。
该器件的关键优势在于极低的功率损耗。其在 10V 驱动电压、20A 测试条件下的导通电阻(Rds(On))最大值仅为 3.2 毫欧,能显著降低传导过程中的能量损失。同时,其最大栅极电荷(Qg)为 126nC,影响着开关速度与驱动设计。器件支持 -55°C 至 175°C 的宽工作结温范围,并在壳温条件下最大功率耗散可达 500W,确保了高温环境下的稳定运行与可靠性。
制造商产品型号:AOW290制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)描述:MOSFET N-CH 100V 17.5/140A TO262系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):17.5A(Ta),140A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.2 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):126nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7180pF @ 50VFET功能:-功率耗散(最大值):1.9W(Ta),500W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-262AOW290,AOS产品一站式供应商。
基本参数:
电子零件型号:AOW290
原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 17.5/140A TO262
产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
点击此处查询AOW290的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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