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AOW290 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-262 通孔封装。其核心电气参数定义了强大的功率处理能力：漏源电压（Vdss）为 100V，在壳温条件下连续漏极电流（Id）高达 140A，适用于高电流应用场景。

该器件的关键优势在于极低的功率损耗。其在 10V 驱动电压、20A 测试条件下的导通电阻（Rds(On)）最大值仅为 3.2 毫欧，能显著降低传导过程中的能量损失。同时，其最大栅极电荷（Qg）为 126nC，影响着开关速度与驱动设计。器件支持 -55°C 至 175°C 的宽工作结温范围，并在壳温条件下最大功率耗散可达 500W，确保了高温环境下的稳定运行与可靠性。

• 型号:AOW290
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 17.5/140A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:126 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7180 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），500W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW290，AOS产品一站式供应商。