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AOD468是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件核心参数包括300V的漏源电压（Vdss）和11.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡：最大导通电阻（Rds(on)）低至420毫欧（@10V， 6A），有助于最小化导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16nC，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其成为高效率开关电源设计的理想选择。

此外，器件支持-50°C至175°C的宽结温工作范围，功率耗散能力达150W，结合TO-252封装的良好散热性，保证了在 demanding 应用环境下的长期稳定运行。

• 型号:AOD468
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD468，AOS产品一站式供应商。