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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD468是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件核心参数包括300V的漏源电压（Vdss）和11.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡：最大导通电阻（Rds(on)）低至420毫欧（@10V， 6A），有助于最小化导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16nC，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其成为高效率开关电源设计的理想选择。
此外，器件支持-50°C至175°C的宽结温工作范围，功率耗散能力达150W，结合TO-252封装的良好散热性，保证了在 demanding 应用环境下的长期稳定运行。
制造商产品型号：AOD468制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N CH 300V 11.5A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：300V25°C时电流-连续漏极(Id)：11.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：150W（Tc）工作温度：-50°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD468，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD468
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD468的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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