我们为全球各个行业提供AOS AO4485现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO4485是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效率功率开关应用而设计。其核心优势在于40V的漏源电压和10A的连续电流处理能力，结合低至15毫欧的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

该器件具备优异的开关特性，其最大栅极电荷仅为55nC，且拥有低至2.5V的栅极阈值电压，这使得它能够实现快速开关并易于驱动，非常适合高频DC-DC转换器。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的设计确保了在各种应用环境下的可靠性与长寿命。

• 型号:AO4485
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4485，AOS产品一站式供应商。