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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD4N60 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 表面贴装封装。该器件核心卖点在于其600V 的高漏源耐压与4A 的连续电流处理能力的有机结合，为高压中小功率应用提供了可靠的开关解决方案。
其电气参数经过优化，最大导通电阻仅为 2.3 欧姆 (at 10V, 2A)，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷 (14.5nC max) 和输入电容确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有利于提升系统效率并简化驱动设计。宽广的工作温度范围 (-50°C ~ 150°C TJ) 使其能适应多样的环境要求。
基本参数：
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