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AOC2870是AOS AlphaMOS系列中的一款双N沟道MOSFET阵列，采用4-XDFN紧凑封装。该器件集成了两个共漏极配置的标准N沟道MOSFET，专为高密度板载设计而优化，其表面贴装形式适配自动化生产流程。

该芯片的核心电气特性突出其高效开关能力。其最大栅极阈值电压为1.3V，确保与主流低电压逻辑信号直接兼容，简化驱动电路。同时，在4.5V栅源电压下，最大栅极电荷低至11.5nC，这有助于实现高速开关并降低开关损耗，提升系统整体能效。器件结温工作范围宽达-55°C至150°C，支持在苛刻环境下稳定运行。

• 型号:AOC2870
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:4-DFN（1.7x1.7）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 4DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-XDFN
• 供应商器件封装:4-DFN（1.7x1.7）
• AOC2870，AOS产品一站式供应商。