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AON2410是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DFN-EP（2x2）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率功率转换进行了优化，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够支持高达8A的连续漏极电流。

该器件的关键优势在于其极低的导通阻抗与优异的开关特性。在4.5V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为21毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至12nC，输入电容（Ciss）也较小，这共同确保了极低的开关损耗，使其非常适用于高频开关电源电路，如DC-DC转换器和电机驱动，以实现更高的功率密度和系统效率。

• 型号:AON2410
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 8A DFN 2X2B
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:813 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-DFN（2x2）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• AON2410，AOS产品一站式供应商。