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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7804_102是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-PowerSMD封装。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的N沟道MOSFET，漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)达9A，为紧凑型设计提供了高功率处理能力。
其核心电气性能突出，在10V Vgs条件下导通电阻(RDS(on))最大仅21毫欧，结合最大18nC的低栅极电荷(Qg)，实现了低导通损耗与高速开关特性的优异平衡。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性，适用于空间受限且要求高效率的电源管理应用。
基本参数：
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