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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI4144_002是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装，基于AOS的SDMOS技术。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A条件下典型值仅为8毫欧，配合28nC的低栅极电荷，实现了高效率与快速开关性能的优异平衡。
该器件额定漏源电压为30V，在壳温条件下可支持高达55A的连续漏极电流和50W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至175°C，具备出色的电流处理能力与高温可靠性。这些特性使其成为中低压、大电流开关应用的理想选择。
基本参数：
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