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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI360A70是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用aMOS5技术，封装形式为TO-251A。该器件核心参数为700V漏源电压（Vdss）与12A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键性能亮点在于优异的动态与静态特性平衡：在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至360毫欧（@6A），有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22.5nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性共同指向了更高的系统效率和功率密度。
该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力达138W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行，主要面向开关电源、电机驱动及工业控制等领域的功率开关应用。
基本参数：
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