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AOI360A70是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用aMOS5技术，封装形式为TO-251A。该器件核心参数为700V漏源电压（Vdss）与12A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键性能亮点在于优异的动态与静态特性平衡：在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至360毫欧（@6A），有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22.5nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性共同指向了更高的系统效率和功率密度。

该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力达138W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行，主要面向开关电源、电机驱动及工业控制等领域的功率开关应用。

• 型号:AOI360A70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 12A TO251A
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI360A70，AOS产品一站式供应商。