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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6152A是一款采用AOS AlphaSGT技术的N沟道MOSFET，额定漏源电压为45V。该器件在导通电阻与开关性能之间取得了出色平衡，其最大导通电阻低至1.15毫欧（@10V，20A），同时栅极电荷最大值仅为155nC，这共同确保了在高频、高电流应用中的低损耗和高效率。
它提供卓越的电流处理能力，在25°C环境温度下连续漏极电流为58A，结温25°C时可达100A。器件采用热增强型8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装，具备优异的散热性能，最大功耗（Tc）为208W，工作结温范围为-55°C至150°C。这些特性使其成为同步整流、电机控制和DC-DC功率转换等应用的理想选择。
基本参数：
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