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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI4C60 是 AOS 推出的一款 N 沟道高压功率 MOSFET，采用 TO-251A 通孔封装。其核心电气参数包括 600V 的漏源电压（Vdss）和 4A 的连续漏极电流（Id），具备处理较高功率等级的能力。
该器件的关键性能指标包括最大 950 毫欧的导通电阻（Rds(on)）和仅 18nC 的栅极电荷（Qg），这有助于在应用中实现较低的传导损耗与开关损耗，提升电源转换效率。其宽泛的工作结温范围（-50°C 至 150°C）确保了在多种环境条件下的可靠性。
基本参数：
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