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AOI4C60 是 AOS 推出的一款 N 沟道高压功率 MOSFET，采用 TO-251A 通孔封装。其核心电气参数包括 600V 的漏源电压（Vdss）和 4A 的连续漏极电流（Id），具备处理较高功率等级的能力。

该器件的关键性能指标包括最大 950 毫欧的导通电阻（Rds(on)）和仅 18nC 的栅极电荷（Qg），这有助于在应用中实现较低的传导损耗与开关损耗，提升电源转换效率。其宽泛的工作结温范围（-50°C 至 150°C）确保了在多种环境条件下的可靠性。

• 型号:AOI4C60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI4C60，AOS产品一站式供应商。