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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4266E是AOS公司基于AlphaSGT技术推出的N沟道MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心规格包括60V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），在10V Vgs驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值低至13.5毫欧，有效降低了功率传导损耗。
其设计注重开关性能优化，具备低至2.2V的栅极阈值电压（Vgs(th)）和仅10nC的栅极电荷（Qg），有利于实现快速开关并减少驱动损耗。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对效率和可靠性有较高要求的功率开关场景。
基本参数：
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