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零件图片（仅供参考）
AO4752
规格参数

AO4752是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，集成了体肖特基二极管。其核心电气参数针对高效功率开关进行了优化，具备30V的漏源耐压（Vdss）和25°C下15A的连续漏极电流（Id）能力。

该器件的显著优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs和15A Id条件下，Rds(On)最大值仅为8.8mΩ，能有效降低传导损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为15nC，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大2.5V，确保了快速开关特性和与标准驱动电路的兼容性，适用于对效率和空间有要求的电源管理与电机驱动应用。

  • 制造商产品型号：AO4752
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：AlphaMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.8 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：605pF @ 15V
  • FET功能：肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4752
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4752的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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