AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7702A_101是AOS公司基于SRFET技术推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用8-DFN（3x3）紧凑型封装，提供了30V的漏源电压（Vdss）额定值，并在25°C下支持高达13.5A（Ta）/36A（Tc）的连续漏极电流。
其核心电气参数表现出色，在10V Vgs、13A Id条件下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为10毫欧，同时最大栅极电荷（Qg）低至24nC。这些特性共同确保了极低的传导损耗和快速的开关速度。此外，器件集成了体二极管，工作结温范围为-55°C至155°C，适用于要求高效率和高可靠性的功率开关应用。
基本参数：
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