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AON7702A_101是AOS公司基于SRFET技术推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用8-DFN（3x3）紧凑型封装，提供了30V的漏源电压（Vdss）额定值，并在25°C下支持高达13.5A（Ta）/36A（Tc）的连续漏极电流。

其核心电气参数表现出色，在10V Vgs、13A Id条件下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为10毫欧，同时最大栅极电荷（Qg）低至24nC。这些特性共同确保了极低的传导损耗和快速的开关速度。此外，器件集成了体二极管，工作结温范围为-55°C至155°C，适用于要求高效率和高可靠性的功率开关应用。

• 制造商产品型号：AON7702A_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 13A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），23W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• AON7702A_101，AOS产品一站式供应商。