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零件图片（仅供参考）
AO4482L
规格参数

AO4482L是一款N沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，核心参数包括100V漏源电压(Vdss)和6A连续漏极电流(Id)。其关键优势在于较低的导通电阻，在10V Vgs下最大值为37毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗。

该器件设计用于逻辑电平驱动，栅极阈值电压(Vgs(th))最大为2.7V，推荐驱动电压范围为4.5V至10V。其开关特性由最大44nC的栅极电荷(Qg)和2000pF的输入电容(Ciss)定义，支持高效的开关操作。器件结温工作范围为-55°C至150°C，适用于要求严苛的环境。请注意，此产品目前已停产。

  • 制造商产品型号：AO4482L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4482L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4482L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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