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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB1100L是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）和强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流（Id）高达130A，为高功率应用提供了充足的电流裕度。
其关键技术参数包括在10V Vgs、20A Id条件下最大仅11.7毫欧的低导通电阻（Rds(On)），这直接有助于降低导通损耗，提升系统效率。同时，最大100nC的栅极电荷（Qg）与宽泛的-55°C至175°C结温工作范围，确保了器件在高速开关与严苛环境下的可靠性与性能表现，适用于高效率电源转换与电机驱动等场景。
基本参数：
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