AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6504是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高电流、高效率应用设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下仅1.8毫欧（@20A），能显著降低传导损耗；同时，高达51A（Ta）/85A（Tc）的连续漏极电流和30V的漏源电压额定值，确保了其在主流电源架构中的稳健性能。
该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）为60nC（@10V），有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持表面贴装工艺，适用于对热管理和空间布局要求严苛的紧凑型电源解决方案，如同步整流、电机驱动和负载开关等。
基本参数：
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