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AON6504是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高电流、高效率应用设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下仅1.8毫欧（@20A），能显著降低传导损耗；同时，高达51A（Ta）/85A（Tc）的连续漏极电流和30V的漏源电压额定值，确保了其在主流电源架构中的稳健性能。

该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）为60nC（@10V），有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持表面贴装工艺，适用于对热管理和空间布局要求严苛的紧凑型电源解决方案，如同步整流、电机驱动和负载开关等。

• 型号:AON6504
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 51A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2719 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6504，AOS产品一站式供应商。